Microchip La familia SMART SAM G de Atmel está optimizada para aplicaciones de alto rendimiento y muy bajo consumo. Su pequeño factor de forma se basa en un núcleo ARM Cortex-M4 y está conectado a una unidad de coma flotante (FPU). Estos dispositivos ofrecen eficiencia incomparable en un paquete WLCSP pequeño 3 mm x 3 mm y de 49 bolas. La familia SAM G está optimizada con un sistema altamente eficiente de periféricos conectados en serie que incluyen un ADC de 12 bits, DMA y una buena relación de SRAM a Flash. Los dispositivos SAM G son ideales para concentrador de sensores y aplicaciones para consumidores alimentadas a batería.
Familia SAM G
| ATSAMG51 |
El microcontrolador basado en ARM Cortex-M4 con flash de 256 KB, SRAM de 64 KB, periféricos de comunicación serial, ADC, 49 pines o 100 pines. |
| ATSAMG53 |
El microcontrolador basado en ARM Cortex-M4 con FPU, flash de 512 KB, SRAM de 96 KB , 48 MHz, periféricos de comunicación serial, ADC, banco de potencia SRAM, I²S y PDM, 49 pines o 100 pines. |
| ATSAMG54 |
El microcontrolador basado en ARM Cortex-M4 con FPU, flash de 512 KB, SRAM de 96 KB, 96 MHz, periféricos de comunicación serial, ADC, banco de potencia SRAM, I²S y PDM, 49 pines o 100 pines. |
| ATSAMG55 |
El microcontrolador basado en ARM Cortex-M4 con FPU, flash de 512 KB, SRAM de 176 KB, 120 MHz, periféricos de comunicación serial, ADC, banco de potencia SRAM, I²S y PDM, host y dispositivo USB, 49 pines o 64 pines. |
Aplicaciones objetivo
Bajo consumo de energía
- SAM G de alto rendimiento y potencia ultra alta es la mejor opción para aplicaciones con gran carga computacional y operada con batería.
- Aplicaciones con uso eficiente de la energía incluso si no se opera con baterías
Dispositivos de vestir, tales como bandas y relojes inteligentes
- SAM G de alto rendimiento y potencia ultra alta es la mejor opción para aplicaciones con gran carga computacional y operada con batería.
- Factor de forma pequeño de 2.8 mm x 2.8 mm para aplicaciones para vestir con restricciones de espacio
- Relación generosa de SRAM a Flash con una SRAM de hasta 176 KB y 16 KB de caché para la gestión de sensor
IoT, como nodos de borde, agregadores de sensor y concentradores de datos
- SAM G de alto rendimiento y potencia ultra alta es la mejor opción para aplicaciones con gran carga computacional y operada con batería.
- Relación generosa de SRAM a Flash con una SRAM de hasta 176 KB y 16 KB de caché para la gestión de sensor
Sistemas médicos y sanitarios portátiles
- SAM G de alto rendimiento y potencia ultra alta es la mejor opción para aplicaciones médicas/atención de la saluda con gran carga computacional y operada con batería.
- Factor de forma pequeña para aplicaciones médicas/atención de la salud portátiles y compactas
| Características clave |
- picoPower
- A 100 µA/MHz en modo activo
- Por debajo de 7 µA en modo de desactivación profunda con retención de SRAM
- Activación con solo 3 µs del modo de desactivación profunda para ejecutar la primera instrucción en modo activo
|
|
|
|
- Paquete pequeño
- 3 mm x 3 mm, con 0.4 mm de paso
- WLCSP 7 x 7 pines
- Compatible con el pin en la familia
|